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次世代メモリー共同研究センター、漢陽大に新設

記事一覧 2009.11.26 13:30

次世代メモリー共同研究センター、漢陽大に新設

【ソウル26日聯合ニュース】次世代メモリーの主力製品と見込まれる「STT-MRAM」を企業と学界が共同開発する研究センターが、漢陽大学に新設された。知識経済部は26日、同大学で次世代メモリー産学研共同研究センターの開所式を行ったと明らかにした。

 センターは政府、サムスン電子、ハイニックス半導体が共同出資し設立したもので、大学としては世界で2番目に、300ミリクラスの半導体機器が備えられた。大学研究員と両社の研究陣が常駐して研究開発(R&D)を行い、日本との基幹技術格差を縮め、STT-MRAMを開発する考えだ。

 知識経済部は、韓国は1993年からメモリー半導体分野で世界1位に立っているが、中核素子構造など基幹技術は海外に依存していると説明。次世代メモリーの基幹技術を確保すれば、「メモリー半導体生産基地」から「R&D中心基地」への飛躍が可能だと期待を寄せた。

japanese@yna.co.kr

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