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SKハイニックス 6GbモバイルDRAMチップ開発

記事一覧 2013.10.30 12:02

【ソウル聯合ニュース】韓国の半導体大手、SKハイニックスは30日、6ギガビット(Gb)のLP(Low Power)DDR3チップを世界で初めて開発したと発表した。このチップを4段重ねれば3ギガバイト(GB)のモバイルDRAM(記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー)となり、スマートフォン(多機能携帯電話)に搭載されるDRAMの性能をアップできる。

 サムスン電子が7月、世界に先駆け4Gbチップを6段積層した3GBのモバイルDRAMの量産に入ったが、これよりも消費電力が低減される。低消費電力・大容量が求められるモバイルデバイスに適したメモリーソリューションとして期待される。

 SKハイニックスはこの製品のサンプル供給を開始した。来年初めに量産に入る計画だ。

 現在のスマートフォンには主に2GBのDRAMが搭載されており、3GBのDRAMは来年上半期から本格的に採用される見通しだ。

mgk1202@yna.co.kr

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