ＳＫハイニックス ６ＧｂモバイルＤＲＡＭチップ開発
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2013.10.30 12:02
【ソウル聯合ニュース】韓国の半導体大手、ＳＫハイニックスは３０日、６ギガビット（Ｇｂ）のＬＰ（Ｌｏｗ Ｐｏｗｅｒ）ＤＤＲ３チップを世界で初めて開発したと発表した。このチップを４段重ねれば３ギガバイト（ＧＢ）のモバイルＤＲＡＭ（記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー）となり、スマートフォン（多機能携帯電話）に搭載されるＤＲＡＭの性能をアップできる。
サムスン電子が７月、世界に先駆け４Ｇｂチップを６段積層した３ＧＢのモバイルＤＲＡＭの量産に入ったが、これよりも消費電力が低減される。低消費電力・大容量が求められるモバイルデバイスに適したメモリーソリューションとして期待される。
ＳＫハイニックスはこの製品のサンプル供給を開始した。来年初めに量産に入る計画だ。
現在のスマートフォンには主に２ＧＢのＤＲＡＭが搭載されており、３ＧＢのＤＲＡＭは来年上半期から本格的に採用される見通しだ。
mgk1202@yna.co.kr
