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SKハイニックス 約200億円投じR&Dセンター着工へ=韓国

記事一覧 2017.09.28 14:38

【ソウル聯合ニュース】東芝の半導体子会社「東芝メモリ」の買収に参加し、3950億円を投じると発表した韓国半導体大手SKハイニックスは28日、2000億ウォン(約197億円)以上を投資してNAND型フラッシュメモリーと未来技術分野の研究開発(R&D)センターを建設すると明らかにした。

研究開発センターの外観予想図(SKハイニックス提供)=(聯合ニュース)

 半導体メモリーのスーパーサイクル(長期好況)を基盤に、急速な成長が予想されるNAND型フラッシュメモリーに投資を集中させるものとみられる。

 ソウル近郊の京畿道・利川に10月に着工する研究開発センターは、地上15階、地下5階、延べ面積9万平方メートルで、4000人以上の従業員を収容する。

 2019年9月の完工後は、これまで利川工場の複数の建物に分散していた未来技術研究院(未来先行技術研究)とNAND開発事業部門の人材が一カ所に集まることになる。

 同社の関係者は「R&D部門間、R&Dと生産現場間の意思疎通と協業を強化し、シナジーを最大化してさらに効率的な研究開発が可能になると期待する」と述べた。

 同社は世界最高レベルの半導体技術をさらに強化するため、今年1年で1000人以上を採用しており、来年にも同規模の人材を採用する計画だ。

 また、研究開発投資も持続的に強化しており、同社が2012年にSKグループ傘下に入った後、8000億ウォンだったR&D投資額は昨年、過去最高の2兆1000億ウォンに達した。

 今年も上半期だけで1兆1000億ウォン以上の研究開発費を投じ、再び過去最高規模の研究開発費投資が行われる見通しだ。

ynhrm@yna.co.kr

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