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SKハイニックス 3Dさらに進化させたNAND型メモリー開発

記事一覧 2018.11.04 16:45

【ソウル聯合ニュース】韓国半導体大手、SKハイニックスは4日、3次元(3D)構造のNAND型フラッシュメモリーに主に用いられるCTF(チャージ・トラップ・フラッシュ)という構造にPUC(Peri Under Cell)という技術を加えた96層・512ギガビットの「TCL(トリプル・レベル・セル)4D・NAND型フラッシュメモリー」を世界で初めて開発したと発表した。

SKハイニックスが4D・NAND型フラッシュメモリーを開発したと発表した(同社提供)=(聯合ニュース)

 同社は初めてCTF基盤とPUCを組み合わせたことによる差別性を強調するため製品に「4D」の名を用いたと説明した。既存の72層・512ギガビットの製品と比べチップのサイズを3割小さくしたほか、ウエハー当たりのビット生産を1.5倍水準に向上させたという。

 またデータの処理能力は業界最高水準の64キロバイトで、書き込みと読み込み能力は72層製品と比べそれぞれ30%、25%向上したという。

 同社の幹部は「年内に最初の量産を行い、最近完成した清州工場のM15ラインで本格量産に入る計画」と話している。

sarangni@yna.co.kr

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